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LE THYRISTOR



LE THYRISTOR - GENERALITES S.C.R : Silicon Controlled Rectifier

– Structure 4 couches -Rappel -
– Caractéristiques statiques :
                                                - Etat bloqué
                                                                 Tenue en tension
                                                 - Etat Conducteur.
                                                                 Limites en courant / Pertes en conduction / Surcharge

– Caractéristiques dynamiques :
                                                   – Caractéristiques dynamiques :
                                                      - Fermeture .
                                                                            Courant de gâchette. Courant d'accrochage. Limiteen                                                                               dI/dt .
                                                       - Ouverture :
                                                                            Courant de maintien Temps d'ouverture (tq) Tenue en                                                                               dv/dt






                                            CARACTERISTIQUE STATIQUE :

                                                               - Etat Bloqué
                                                                 - Etat conducteur



 








CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE - FERMETURE  :

- Courant de gâchette - Caractéristique V/I de gâchette - Courant d'accrochage - Temps de fermeture - di/dt à la fermeture









                                                          CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE

                                                                          
                                                                           Pertes à la fermeture 
Les pertesà la fermeture sont négligeables lorsque le thyristor fonctionne à des fréquences < 500Hz (cas des applications en contrôle de phase ) Les thyristors dits "rapides", utilisés dansles convertisseurs à découpage, sont optimisés pour augmenter la vitesse d'amorçage et sont spécifiés en pertes à la fermeture .

                                                            CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE


                                                                            - BLOCAGE -

- Courant de maintien
- Temps d'ouverture
- Tenue en dv/dt

                                                             CARACTERISTIQUE DYNAMIQUE

                                                                              Courant de Maintien

















                                                           APPLICATIONS




                                                                APPLICATIONS

                                                         Thyristors faible-courant (0.5 - 50A)

Motifs d’utilisation:
- tenue en tension AC & ouverture ZCS
- facilité de commande 
- faible coût
- robustesse (surtout en surcharge de courant)

Variateur vitesse petits moteurs:
Electroménager
Outillage électrique

Applications industrielles et domestiques :
Allume gaz
Disjoncteurs différentiels
Detecteur de proximité, de fumée...etc.
Chargeur de batterie
Commande de triac

Allumage moteurs :
décharge capacitive
Alimentations (fonctions auxilliaires )
Limiteur courant d'appe
Protection sorties secondaires (crowbar)

 



                                                                  APPLICATIONS 

                                                                   Thyristors Rapides

Les thyristors rapides de forte puissanceoccupent encore une placeimportante dans des marchés tels que:
- La conversioncontinu-alternatif très haute tension
- La traction électrique.
- La soudure
Lechauffage à induction..

Les topologies mises en oeuvre sont principalement :
- des circuits du type "hacheur" (Convertisseurs DC-DC)
(ils nécessitent des circuits auxiliaires d'extinction - ou de "soufflage") 
- des onduleurs à àrésonance, bien adaptés aux thyristors (extinction "naturelle” ZCS) 


 


                                                                    LE G.T.O
                                                        " Gate Turn-Off Thyristor "
                                       ( THYRISTOR OUVRABLE PAR LA GACHETTE )





                                                                AMORCAGE DU GTO
                                                              Différences avec le Thyristor
1) LIMITE EN dI/dt :
On peut considérer le GTOcomme équivalent à un grand nombre de petits thyristors en parallèle (plusieurs centaines). Le temps de miseen conduction de chaquecellule est très court ( # 1 à 2 µs) aussi le GTO pourrasupporter des dI/dt élevés de l'ordre de 300 à 500A/us.

2 ) Courant degâchette permanent (IGON) :
En conduction il est fortement conseillé de maintenir le courant de gâchette(IGon = 1 à 4fois IGT) pour éviter le désamorçage de certaines cellules encas de variations trop importantes du courant d'anode: En cas d'une diminution importante du courant dans le circuit, les cellules les moins sensibles vont se désamorcer (pb de IH) et lors du rétablissement du courant, seules les cellules conductrices devront supporter cecourant supplémentaire (DANGER de surcharge). . Dans ces cas de figure : - Les perteen conductionseront plus élevées. - Le courant ouvrable est réduit.

                                                                  CONCLUSION 
                                                                        A retenir...
– Domaine privilégié : basse fréquence , haute tension (> 600 V)
Faible chute de tension Faible coût
– Intérêt d’utilisation :
Forte capacité en courant Amorçage par une impulsion de courant (structure vérouillée) Tenue en tension alternative
– Des Thyristors en voie d’extinction:
Les SCRs rapides (induction, contrôle moteur => IGBT) Le GTO (forte puissance => IGBT)





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